Samsung, 2025 yılına kadar HBM4 belleğinin seri üretimini planlayarak üretim hizmetlerini sektörün taleplerine daha iyi uyacak şekilde çeşitlendirmeyi hedefliyor. Samsung’un DRAM Ürün ve Teknoloji Ekibi Başkanı Sang Joon Hwang, bu gelişmeyi bir blog yazısı aracılığıyla kamuoyuna duyurarak şirketin bellek bölümünün geliştirilmesi stratejisinin bir parçası olduğunu vurguladı. Hwang, Samsung’un geçmişte HBM2E ve HBM3’ün seri üretimini gerçekleştirdiğini ve 9,8 gigabit (Gbps) hızında HBM3E belleği geliştirdiğini belirterek, bu çabaların HPC/AI ekosistemini zenginleştirmeyi amaçladığını ifade etti. Ayrıca, müşterilere HBM4 örneklerini yakın gelecekte sunmayı planladıklarını ekledi.
HBM4, iletken olmayan film (NCF) montajı ve hibrit bakır bağlama (HCB) gibi yüksek termal özelliklere sahip teknolojilerle optimize edilmiş olarak 2025 yılında piyasaya sürülecek. Samsung’un bu gelişmeleri, HBM3 belleği için şimdiden potansiyel müşteri ilgisi gördüğünü ve NVIDIA’nın önde gelen müşteriler arasında olduğunu gösteriyor. GenAI alanındaki ilerlemelerle birlikte, HBM3 gibi temel bileşenlere olan talep hızla artmaktadır ve bu, ilgili donanımın daha fazla önem kazandığı anlamına geliyor.
NVIDIA, tedarik zincirini çeşitlendirmek amacıyla adımlar atarken, Samsung Electronics, yapay zeka hızlandırıcıları için DRAM taleplerini karşılamak için gereken yeteneklere sahip olduğu için bu alanda önemli bir oyuncu olma potansiyeline sahip.
İlginizi çekebilir: Samsung bazı cihazlarında garanti süresini uzatıyor!
Samsung, mevcut gelişmelerinin yanı sıra 2025’te piyasaya sürülmesi beklenen yeni nesil HBM4 bellek sürecini hızlı bir şekilde ilerletmeyi planlamaktadır. HBM4 belleğin spesifik detayları hala belirsiz olsa da, “iletken olmayan film” özelliği ve “hibrit bakır bağlama” gibi özelliklerle güç verimliliğine ve termal yönetimine katkıda bulunması beklenmektedir. HBM4, yeni nesil yapay zeka hızlandırıcıları için bir geçiş noktası olacak ve hesaplama yeteneklerinde yeni ufuklar açacaktır.
tarafından verilmektedir.