İçindekiler
Yarı iletken sektörünün önemli oyuncularından Samsung , DDR4 DRAM üretiminde 2.jenerasyona geçiyor. Performans ve enerji verimliliği artışları sağlanıyor.
Samsung yarı iletken üretiminde Dünya markaları arasında yer alıyor. Firma yaptığı yeni açıklamayla 10 nanometre boyutunda 8GB DDR4 DRAM modülünün 2.jenerasyonunu üretmeye başladığını bildirdi. Yeni modülün rakiplerine kıyasla en yüksek performansa ve enerji verimliliğine sahip olmasıyla övünüyor. Ayrıca rakiplerine kıyasla en küçük modülü ürettikleriyle övünmeye devam ederken bu sayede diğer bileşenler için daha fazla yer kaldığını söylüyor.
Samsung Elektronik Hafıza Birimi Başkanı Gyoyoung Jin;
“DRAM devresi tasarımı ve prosesinde yenilikçi teknolojiler geliştirerek, DRAM ölçeklenebilirliği için büyük bir engeli parçaladık. 2. nesil 10 nm sınıfı DRAM’ın hızla yükselmesi sayesinde, güçlü pazar talebini karşılamak ve iş rekabet gücümüzü güçlendirmek için 10 nm DRAM üretimimizi daha agresif bir şekilde genişleteceğiz “dedi.
Performans ve Enerji Verimliliği Artışı
Yeni modül selefine göre enerji ve performans bakımından daha verimli çalışmakta. Yüzde 15 oranında artan enerji verimliliği sayesinde daha uzun ömürlü laptoplar söz konusu olurken yüze 10 oranında artırılan performans sayesinde pin başına 3,600 Mbps seviyesine yükselirken önceki modelde bu hız 3.200Mbps seviyesindeydi.
Samsung, üretimi hızını olabildiğince çabuk bir şekilde artıracağını fakat pazar talebini karşılamak için önceki modelin üretimine de devam edileceğini söyledi.
tarafından verilmektedir.